臺積電2nm工藝將繼續(xù)漲價：每片晶圓或超3萬美元

臺積電（TSMC）在2nm制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，另外N2工藝還能搭配NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計人員提供了靈活的標(biāo)準(zhǔn)元件。與現(xiàn)有的N3E工藝相比，預(yù)計N2工藝相同功率下性能會有10%到15%的提升，或者相同頻率下功耗會下降25%到30%，同時晶體管密度將提升15%。

據(jù)相關(guān)媒體報道，臺積電每片300mm的2nm晶圓的價格可能超過3萬美元，高于之前預(yù)期的2.5萬美元。相比之下，目前3nm晶圓的價格大概在1.85萬至2萬美元，而4/5nm晶圓的價格在1.5到1.6萬美元之間，無論如何，可以預(yù)見2nm晶圓的價格會有大幅度的提升。值得注意的是，臺積電的訂單報價包含多種因素，和具體的客戶以及訂單量有關(guān)，部分客戶可能會有些優(yōu)惠，3萬美元是一個較為粗略的數(shù)字。

為了應(yīng)對市場對2nm工藝技術(shù)的強勁需求，臺積電持續(xù)對該制程節(jié)點進(jìn)行投資，2nm晶圓廠將分布在中國臺灣的北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）。新工藝將增加EUV光刻步驟，甚至有可能使用雙重曝光，毫無疑問成本將高于3nm制程節(jié)點。

臺積電計劃N2工藝于2025年下半年進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，客戶最快在2026年前就能收到首批采用N2工藝制造的芯片，首個客戶預(yù)計是蘋果。