三星開發(fā)業(yè)界首款5nm車用eMRAM 計(jì)劃2027年量產(chǎn)

近日，三星在德國(guó)慕尼黑舉行的2023年歐洲三星代工論壇（SFF）上，公布并介紹了其汽車工藝解決方案。

三星表示，正在推動(dòng)下一代解決方案的創(chuàng)新，以建立一個(gè)擴(kuò)大的產(chǎn)品組合，滿足其汽車客戶不斷增長(zhǎng)的需求，特別是在電動(dòng)汽車時(shí)代成為現(xiàn)實(shí)的情況下。目前三星正在加大投入準(zhǔn)備工作，為客戶提供功率半導(dǎo)體、微控制器、先進(jìn)的自動(dòng)駕駛?cè)斯ぶ悄苄酒榷喾N解決方案。

自2019年開發(fā)并量產(chǎn)業(yè)界首個(gè)28nmFD-SOI1型eMRAM后，三星一直在開發(fā)基于AEC-Q100 Grade 1的FinFET晶體管技術(shù)的14nm工藝。根據(jù)三星公布的路線圖，計(jì)劃2024年量產(chǎn)14nm車用eMRAM，然后在2026年和2027年分別量產(chǎn)8nm和5nm車用eMRAM。與14nm產(chǎn)品相比，8nm具有將密度提高33%、速度提高33%的潛力。此外，三星在2026年之前將完成車用2nm制程的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。

同時(shí)三星也擴(kuò)大了常用于功率半導(dǎo)體生產(chǎn)的8英寸BCD工藝組合，以滿足客戶的需求。三星計(jì)劃到2025年，將目前130mm車用BCD工藝提升至90nm，。與130nm工藝相比，90nm的BCD工藝預(yù)計(jì)將使芯片面積減少20%。另外還將通過采用深溝槽隔離（DTI）技術(shù)，縮小每個(gè)晶體管之間的距離，最大限度地發(fā)揮功率半導(dǎo)體的性能。