三星首款GDDR7顯存研發(fā)完成 速度32Gbps提升40%

內(nèi)存界將再次迎來更新，三星電子日前宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款 GDDR7 的研發(fā)工作，年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的下一代系統(tǒng)上驗(yàn)證。

三星表示，繼 2022 年三星開發(fā)出速度為每秒 24 千兆比特 (Gbps) 的 GDDR6 16Gb 之后，GDDR7 16Gb 產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的最高速度 32Gbps。同時，集成電路（IC）設(shè)計和封裝技術(shù)的創(chuàng)新提升了高速運(yùn)行下的性能穩(wěn)定性。

三星 GDDR7 介紹如下：

三星 GDDR7 可達(dá)到出色的每秒 1.5 太字節(jié)（TBps）的帶寬，是 GDDR6 1.1TBps 的 1.4 倍，并且每個數(shù)據(jù) I / O（輸入 / 輸出）口速率可達(dá) 32Gbps。該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號方式，取代前幾代產(chǎn)品的不歸零（NRZ）信號方式，從而實(shí)現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號周期內(nèi)，PAM3 信號方式可比 NRZ 信號方式多傳輸 50% 的數(shù)據(jù)。

另外，GDDR7 的設(shè)計采用了適合高速運(yùn)行的節(jié)能技術(shù)，相比 GDDR6 能效提高了 20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個低工作電壓的選項(xiàng)。

為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與 GDDR6 相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低 70% 的熱阻，還幫助 GDDR7 在高速運(yùn)行的情況下，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。