三星電子擬推新1GB移動(dòng)DRAM 速度可達(dá)12.8GB/s

韓國三星電子（Samsung Electronics Co., Ltd.）2月21日宣布，這家先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動(dòng)DRAM（dynamic random access memory），將使用50納米級(jí)工藝技術(shù)。新的寬I/O移動(dòng)DRAM將被用于移動(dòng)應(yīng)用設(shè)備，諸如智能手機(jī)和平板電腦。

三星電子高級(jí)副總裁、存儲(chǔ)產(chǎn)品規(guī)劃與應(yīng)用工程師Byungse So表示，“繼2010年開發(fā)出4GB的LPDDR2 DRAM（低功耗DDR2 DRAM）后，裝有I/O接口的新款移動(dòng)DRAM解決方案將為高性能移動(dòng)產(chǎn)品的進(jìn)步做出重要貢獻(xiàn)?！彼硎荆拔覀儗⒗^續(xù)積極拓展高性能移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步推進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的成長?！?/p>

全新的1GB寬I/O移動(dòng)DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)12.8GB/秒，相當(dāng)于移動(dòng)DDR DRAM帶寬（1.6GB/秒）的八倍，LPDDR2 DRAM貸款（約達(dá)3.2GB/秒）的四倍，同時(shí)將減少大約87%的功耗。

為了提高數(shù)據(jù)傳輸，三星的寬I/O DRAM使用了512根引腳進(jìn)行數(shù)據(jù)輸入和輸出，相比之下，早期的移動(dòng)DRAM采用了最多32根引腳。如果計(jì)入發(fā)送指令和調(diào)節(jié)電源的引腳，則單一三星寬I/O DRAM計(jì)劃將配有大約1,200根引腳。

推出這一寬I/O DRAM之后，三星電子計(jì)劃在2013年內(nèi)推出20納米級(jí)4GB寬I/O移動(dòng)DRAM。該公司最近在移動(dòng)DRAM領(lǐng)域取得的成就包括在2009年推出首個(gè) 50納米級(jí)LPDDR2 1GB DRAM，以及在2010年推出首個(gè)40納米級(jí) 2GB LPDDR2 DRAM。

三星將在2011的ISSCC (International Solid-State Circuits Conference）會(huì)議上呈現(xiàn)一份有關(guān)廣泛I/O DRAM技術(shù)的文件，此次大會(huì)將于從2月20日至24日在舊金山舉行。

根據(jù)iSuppli，到2014年，移動(dòng)DRAM占年度DRAM總出貨量的比例將從2010年的11.1%增加至約16.5%。