完爆N卡！AMD最頂級GPU核心透視：HBM秘密在此

和Tonga一比大小一目了然。因為是一代HBM，所以集成了4顆HBM顯存，每一顆都采用四層Die進行堆疊，每個Die的容量為2Gb(256MB)，因此每顆容量為1GB、1024bit內存控制器，總的顯存容量就是4GB、位寬4096。

不同于GDDR5是“蓋平方”，3D堆疊的HBM可以理解為“蓋樓房”。這也是整個HBM最大難點，即如何實現(xiàn)內存控制體系的互聯(lián)。

HBM顯存所采用的TSV(硅穿孔)技術本質上就是在保證結構強度的前提下在芯片(硅)上直接垂直通孔。通孔過程看似簡單，但技術層面的進展一直相當不順利。無論存儲還是邏輯芯片的結構及加工過程都相當復雜，這注定了芯片本身的脆弱性，想要在不影響芯片強度以及完整性的前提下在一塊DRAM顆粒上打洞，而且是不止一個的孔洞，這件事兒的具體技術細節(jié)根本無需討論，光是想想就已經(jīng)很難了。

這種垂直互聯(lián)不僅距離更短而且延遲更低，這是HBM顯存的一大優(yōu)勢。

現(xiàn)在希望的就是除了海力士，三星也能加快量產(chǎn)HBM，明年再升級顯卡是這將成為一個更為重要的參考因素。