ASML 3.5億歐元High-NA EUV光刻機(jī)已獲得10~20個(gè)訂單

荷蘭半導(dǎo)體制造設(shè)備巨頭ASML前天剛剛展示了其下一代高數(shù)值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機(jī)，還透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻機(jī)的價(jià)格約為 3.5 億歐元。相比之下，現(xiàn)有的EUV 光刻機(jī)價(jià)格約為 1.7 億歐元（當(dāng)前約 13.19 億元人民幣），當(dāng)然具體價(jià)格要取決于具體型號(hào)和配置。

此外，ASML 還告訴路透社，該公司截至目前已收到包括英特爾和 SK 海力士在內(nèi)數(shù)家公司的“10 到 20”個(gè)訂單，并計(jì)劃到 2028 年每年生產(chǎn) 20 臺(tái)。

ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機(jī)代表了該公司技術(shù)的巔峰，每臺(tái)設(shè)備重達(dá) 150,000 公斤，相當(dāng)于兩架空客 A320 客機(jī)，需要 250 個(gè)集裝箱運(yùn)輸，運(yùn)到客戶手里后還要再由 250 名工程師花費(fèi)六個(gè)月的時(shí)間組裝。

即將推出的 High-NA EUV Twinscan EXE 光刻機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn) 8nm 的分辨率，而現(xiàn)機(jī)器只能通過(guò)單次曝光達(dá)到 13nm 的分辨率，這使得下一代晶體管尺寸將縮小約至 1.7 分之 1，晶體管密度增加近三倍，對(duì) 3nm 以下工藝至關(guān)重要，而這也是業(yè)界在 2025 年至 2026 年之間希望達(dá)到的目標(biāo)。

當(dāng)然，現(xiàn)有 EUV 光刻機(jī)也可以實(shí)現(xiàn)同樣的分辨率和晶體管密度，但它們需要采用更昂貴的材料和更復(fù)雜的雙 / 多重曝光技術(shù)，而采用 High-NA EUV 技術(shù)則可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程、提高良率并有效降低成本。

不同的芯片制造商對(duì)部署 High-NA EUV 機(jī)器的規(guī)劃也不同，例如英特爾就計(jì)劃在其后 18A 工藝中使用 High-NA EUV 光刻機(jī)，而臺(tái)積電則會(huì)采取更謹(jǐn)慎的做法，預(yù)計(jì)將在 2030 年左右才會(huì)將其用于 1nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)（未確認(rèn)具體時(shí)間）。