IBM展示全世界第一塊20nm工藝晶圓

上周舉行的Common Platform 2011技術(shù)大會(huì)上，IBM領(lǐng)銜的通用技術(shù)聯(lián)盟各自介紹了其半導(dǎo)體制造工藝的最新進(jìn)展，藍(lán)色巨人自己更是拿出了全世界第一塊采用20nm工藝的晶圓。

據(jù)介紹，這塊晶圓不但使用了業(yè)界領(lǐng)先的20nm LP HKMG(低功耗高K金屬柵極)制造工藝，還引入了Gate-Last技術(shù)，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火工步完成之后再形成金屬柵極。

Gate-Last(后柵極)、Gate-First(前柵極)是實(shí)現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的兩大技術(shù)流派，區(qū)別主要在于硅片漏/源區(qū)離子注入操作、高溫退火和形成金屬柵極的先后。Intel從45nm工藝開始就堅(jiān)持使用Gate-Last，臺(tái)積電也決定從28nm開始引入。IBM聯(lián)盟方面之前一直支持Gate-First，包括32/28nm工藝，現(xiàn)在看來(lái)20nm將成為其第一個(gè)拐點(diǎn)。

IBM沒(méi)有透露這種晶圓會(huì)用于制造何種產(chǎn)品，但既然是低功耗版本，應(yīng)該不會(huì)用在CPU、GPU等高性能芯片上。

晶圓整體

晶圓局部